er graphit, der fås ved omdannelse af koks (mikrokrystal graphit), idet koks+silicium ved opvarmning til ca. 2000°C giver siliciumcarbid, SiC, der ved ca. 2200°C spaltes til storkrystal graphit og Si, hvor Si fortsat kan benyttes i fabrikationen. Metoden skyldes amerikaneren Edward Goodrich Acheson (1856-1931).